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场效应管mos管_ P沟道MOSFET

创建时间：2025-04-17 11:05
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主要参数

1.开启电压VT

2、直流输入电阻RGS

3、漏源击穿BVDS电压。

4、栅源击穿电压BVGS

5、低频跨导

6、导通电阻RON

7、极间电容

8、低频噪声系数

mos管的封装有：

TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3

不同封装，对应的极限电流，电压及散热效果会不同。详细了解可与客服咨询。

ꄴ前一个： 无
ꄲ后一个： P型 N型 场效管 MOS管 品类齐全
所属分类：MOS管
点击次数：1373次
全国服务热线：18319995108
主要参数1.开启电压VT2、直流输入电阻RGS3、漏源击穿BVDS电压。4、栅源击穿电压BVGS5、低频跨导6、导通电阻RON7、极间电容8、低频噪声系数mos管的封装有：TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3不同封装，对应的极限电流，电···

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